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NTR4101P, NTRV4101P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
800
V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
4.0
3.5
3.0
QT
600
2.5
2.0
V DS
Q gs
Q gd
V GS
400
1.5
200
0
0
2
4
C oss
C rss
6
8
10
12
14
16
18
20
1.0
0.5
0
0
2
4
I D = ? 1.6 A
T J = 25 ° C
6
8
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Gate Charge
1000
100
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.6 A
V GS = ? 4.5 V
5
4.5
4
3.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
3
2.5
10
t d(off)
t f
t r
t d(on)
2
1.5
1
0.5
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
V GS ≤ 10 V
Single Pulse
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10
1
0.1
0.01
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
dc
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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